Unter Federführung des Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festkörperphysik IAF in Freiburg ist jetzt ein dreijähriges Verbundprojekt mit der Bezeichnung „Power GaN Plus“ zur Entwicklung effizienter Leistungswandler auf der Basis des neuen Halbleitermaterials Galliumnitrid (GaN) ins Leben gerufen worden. Transistoren aus Galliumnitrid sind bei hohen elektrischen Spannungen und Strömen wesentlich energieeffizienter als Silizium. Die Forscher erwarten ein Einsparpotential von mehr als 50 Prozent durch den Einsatz dieser neuen Technologie, die unter anderem in Leistungswandler zum effizienten Laden von Batterien in Elektrofahrzeugen zum Einsatz kommt. Der Umwandlungsprozess ist derzeit noch stark verlustbehaftet. Zur praktischen Erprobung der Leistungsfähigkeit der Galliumnitrid-Technologie will das Forschungskonsortium einen Leistungswandler zum Laden von Fahrzeug-Batterien und einen Wechselrichter mit einer Leistung von fünf Kilowatt zur Netzeinspeisung von Energie aus Solarparks realisieren. Das Forschungsprojekt, an dem unter anderem auch Bosch, die IXYS Semiconductor GmbH, das Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik und die Universität Erlangen-Nürnberg beteiligt sind, wird vom Bundesministerium für Bildung und Forschung mit einem Gesamtvolumen von knapp 2,8 Millionen Euro gefördert.